石墨盤外表處理進程多樣，常見辦法包含涂層處理、氧化處理、激光處理等，以下是具體介紹：石墨盤外表處理進程多樣，常見辦法包含涂層處理、氧化處理、激光處理等，以下是具體介紹：
涂層處理
碳化硅涂層
    石墨基體制備：將石墨資料切割、打磨成所需尺度和形狀。
    外表處理：清洗、去油基體外表，確保涂層結實附著。
    碳化硅涂層制備：經過粉末冶金或氣相堆積等處理，制成所需厚度和均勻度的涂層。
    涂層噴涂：把制備好的碳化硅涂層噴涂到基體外表。
    熱處理：對噴涂好的基體高溫加熱，使涂覆層與基體緊密結合。
    抗氧化涂層、光滑涂層：經過相應工藝在石墨盤外表形成抗氧化或光滑涂層，以提升其抗氧化性或光滑性。
氧化處理
    氣相氧化法：使用空氣在適當溫度下對石墨資料進行氧化，可使用簡直零本錢的空氣，但氧化只能發生在空氣觸摸到的石墨顆粒外表，大規模出產需處理氣 - 固兩相成分觸摸問題。
    液相氧化法：作為石墨外表氧化辦法之一，與氣相氧化法不同，在液相環境中對石墨外表進行氧化處理。
激光處理（以MOCVD設備用石墨盤為例）
    預處理：選用氧等離子體對石墨盤外表進行預處理。
熱解碳處理：在真空條件下，選用激光對石墨盤外表進行熱解碳處理，激光頻率為0.5 - 5K赫茲，脈沖寬度1 - 500fs，單脈沖能量0.1 - 5mJ。
    形成微納結構：控制激光光斑在石墨盤外表的移動，在外表形成周期性的微納結構。在激光光斑從一個處理方位移動至另一個處理方位之前，控制光闌或擋板對激光的光束進行遮擋。
    噴發惰性氣體：在激光處理進程中，向石墨盤外表噴發惰性氣體，噴發壓力控制在0.01 - 2公斤，流速0.1 - 5升/分鐘。惰性氣體噴嘴孔徑為0.1 - 10mm，出口與位移渠道外表之間的直線距離為1mm - 10mm，且噴嘴所引導的氣體在位移渠道外表的落點與激光器的光束在位移渠道外表的落點相同。
其他外表處理
外表機械處理
    研磨和拋光：使石墨盤外表更加光滑，提高外觀和質感。
    噴砂處理：可提高固體光滑劑粉末對基材外表的粘著性，如果有最佳的外表描摹，即作為儲存器的外表凹谷，就能將石墨輸送到微小的金屬渠道上，隔離對偶資料。
    浸漬處理：包含樹脂浸漬、金屬浸漬等，可改善石墨盤的功能。
    包覆處理：以石墨類資料作為“核芯”，在其外表包覆一種無定型的炭資料的“殼”，能避免石墨類炭資料的缺點，具備復合資料的長處。選用的包覆前驅體包含酚醛樹脂、環氧樹脂、瀝青、焦炭、聚乙烯醇等，選用的辦法主要有液相包覆、噴發成形、氣相堆積和混合粉碎等辦法。